T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Id – Ciągły prąd drenu
Pd – strata mocy
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
Karta charakterystyki
123Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
Karta charakterystyki
15Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
Karta charakterystyki
255Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
Karta charakterystyki
44Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100