Układy MOSFET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

DTMOSIV-H MOSFETs

Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs are suited to applications that require high reliability, power efficiency, and a compact design, such as high-efficiency switching power supplies for servers and telecom base stations and as power conditioners for photovoltaic inverters. Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs achieve a high-speed switching performance while keeping the low ON-resistance level of conventional DTMOSIV and without loss of power. This is accomplished by reducing parasitic capacitance between gate and drain, which also contributes to improved power efficiency and downsizing of products.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 19

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Polaryzacja tranzystora

Liczba kanałów

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Tryb kanału

Nazwa handlowa

Opakowanie

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Technologia	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa	Opakowanie
MOSFETs Power MOSFET N-Channel TK25A60X5,S5X Toshiba 1: 23,85 zł 637Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK25A60X5,S5X Nr części Mouser 757-TK25A60X5S5X	Toshiba	MOSFETs Power MOSFET N-Channel Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	637Na stanie magazynowym	23,85 zł 17,03 zł 12,58 zł 11,18 zł 9,99 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	120 mOhms	30 V	3 V	60 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V) TK31V60X,LQ Toshiba 1: 26,05 zł 4 876Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK31V60X,LQ Nr części Mouser 757-TK31V60XLQ	Toshiba	MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V) Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	4 876Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 26,05 zł 13,86 zł 13,07 zł Opakowanie zbiorcze 13,07 zł Oferta Oferta	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DFN8x8-5	N-Channel	1 Channel	600 V	30.8 A	78 mOhms	30 V	3.5 V	65 nC	- 55 C	+ 150 C	240 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Reel, Cut Tape
MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V) TK39N60X,S1F Toshiba 1: 41,93 zł 7Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK39N60X,S1F Nr części Mouser 757-TK39N60XS1F	Toshiba	MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V) Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	7Na stanie magazynowym	41,93 zł 24,82 zł 24,11 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	38.8 A	55 mOhms	30 V	3.5 V	85 nC	- 55 C	+ 150 C	270 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs Power MOSFET N-Channel TK25E60X,S1X Toshiba 1: 22,70 zł 88Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK25E60X,S1X Nr części Mouser 757-TK25E60XS1X	Toshiba	MOSFETs Power MOSFET N-Channel Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	88Na stanie magazynowym	22,70 zł 11,75 zł 10,60 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	105 mOhms	30 V	2.5 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	180 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6 TK024N60Z1,S1F Toshiba 1: 52,89 zł 33Na stanie magazynowym 30Oczekiwane: 22.04.2027 Nowe produkty	Produc. Nr części TK024N60Z1,S1F Nr części Mouser 757-TK024N60Z1S1F Nowe produkty	Toshiba	MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6 Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	33Na stanie magazynowym 30Oczekiwane: 22.04.2027	52,89 zł 41,49 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	80 A	24 mOhms	30 V	4 V	140 nC		+ 150 C	506 W	Enhancement		Tube
MOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK22A65X5,S5X Toshiba 1: 23,23 zł 93Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK22A65X5,S5X Nr części Mouser 757-TK22A65X5S5X	Toshiba	MOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	93Na stanie magazynowym	23,23 zł 12,14 zł 11,04 zł 9,20 zł 8,89 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	22 A	160 mOhms	30 V	4.5 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs Power MOSFET N-Channel TK25A60X,S5X Toshiba 1: 21,47 zł 88Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK25A60X,S5X Nr części Mouser 757-TK25A60XS5X	Toshiba	MOSFETs Power MOSFET N-Channel Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	88Na stanie magazynowym	21,47 zł 11,22 zł 9,86 zł 8,67 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	105 mOhms	30 V	2.5 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs Power MOSFET N-Channel TK25E60X5,S1X Toshiba 1: 23,80 zł 51Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK25E60X5,S1X Nr części Mouser 757-TK25E60X5S1X	Toshiba	MOSFETs Power MOSFET N-Channel Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	51Na stanie magazynowym	23,80 zł 15,58 zł 11,48 zł 10,16 zł 9,06 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	120 mOhms	30 V	3 V	60 nC	- 55 C	+ 150 C	180 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs Power MOSFET N-Channel TK25N60X5,S1F Toshiba 1: 22,57 zł 75Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK25N60X5,S1F Nr części Mouser 757-TK25N60X5S1F	Toshiba	MOSFETs Power MOSFET N-Channel Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	75Na stanie magazynowym	22,57 zł 13,46 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	120 mOhms	30 V	3 V	60 nC	- 55 C	+ 150 C	180 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs Power MOSFET N-Channel TK25N60X,S1F Toshiba 1: 21,74 zł 67Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK25N60X,S1F Nr części Mouser 757-TK25N60XS1F	Toshiba	MOSFETs Power MOSFET N-Channel Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	67Na stanie magazynowym	21,74 zł 13,29 zł 10,12 zł 9,20 zł 8,80 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	105 mOhms	30 V	2.5 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	180 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V) TK31E60X,S1X Toshiba 1: 24,99 zł 48Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK31E60X,S1X Nr części Mouser 757-TK31E60XS1X	Toshiba	MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V) Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	48Na stanie magazynowym	24,99 zł 16,37 zł 12,01 zł 10,69 zł 9,59 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30.8 A	73 mOhms	30 V	3.5 V	65 nC	- 55 C	+ 150 C	230 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V) TK31N60X,S1F Toshiba 1: 25,56 zł 69Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK31N60X,S1F Nr części Mouser 757-TK31N60XS1F	Toshiba	MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V) Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	69Na stanie magazynowym	25,56 zł 15,93 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30.8 A	73 mOhms	30 V	3.5 V	65 nC	- 55 C	+ 150 C	230 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK31Z60X,S1F Toshiba 1: 32,03 zł 46Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK31Z60X,S1F Nr części Mouser 757-TK31Z60XS1F	Toshiba	MOSFETs TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	46Na stanie magazynowym	32,03 zł 17,42 zł 15,97 zł 14,83 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	600 V	30.8 A	88 mOhms	30 V	3.5 V	65 nC	- 55 C	+ 150 C	230 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax TK62N60X,S1F Toshiba 1: 48,05 zł 60Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK62N60X,S1F Nr części Mouser 757-TK62N60XS1F	Toshiba	MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	60Na stanie magazynowym	48,05 zł 39,86 zł 36,61 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	61.8 A	33 mOhms	30 V	3.5 V	135 nC	- 55 C	+ 150 C	400 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK62Z60X,S1F Toshiba 1: 60,68 zł 5Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK62Z60X,S1F Nr części Mouser 757-TK62Z60XS1F	Toshiba	MOSFETs TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	5Na stanie magazynowym	60,68 zł 35,07 zł 34,19 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	600 V	61.8 A	40 mOhms	30 V	3.5 V	135 nC	- 55 C	+ 150 C	400 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK22A65X,S5X Toshiba 1: 20,77 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni	Produc. Nr części TK22A65X,S5X Nr części Mouser 757-TK22A65XS5X	Toshiba	MOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni	20,77 zł 10,87 zł 9,86 zł 8,32 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	22 A	150 mOhms	30 V	3.5 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Tube
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=180W F=1MHZ TK22V65X5,LQ Toshiba 2 500: 8,40 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni	Produc. Nr części TK22V65X5,LQ Nr części Mouser 757-TK22V65X5LQ	Toshiba	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=180W F=1MHZ Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni	Opakowanie zbiorcze 8,40 zł	Min.: 2 500 Wielokr.: 2 500 : 2 500	Si	SMD/SMT	DFN8x8-5	N-Channel	1 Channel	650 V	22 A	170 mOhms	30 V	3 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	180 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Reel
MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ TK25V60X5,LQ Toshiba 2 500: 8,49 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni	Produc. Nr części TK25V60X5,LQ Nr części Mouser 757-TK25V60X5LQ	Toshiba	MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni	Opakowanie zbiorcze 8,49 zł	Min.: 2 500 Wielokr.: 2 500 : 2 500	Si	SMD/SMT	DFN8x8-5	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	150 mOhms	30 V	3 V	60 nC	- 55 C	+ 150 C	180 W	Enhancement	DTMOSIV-H	Reel
MOSFETs 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR TK25V60X,LQ Toshiba 2 500: 8,40 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni	Produc. Nr części TK25V60X,LQ Nr części Mouser 757-TK25V60XLQ	Toshiba	MOSFETs 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR Dowiedz się więcej o Toshiba dtmos ivh mosfets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni	Opakowanie zbiorcze 8,40 zł	Min.: 2 500 Wielokr.: 2 500 : 2 500	Si	SMD/SMT	DFN8x8-5													DTMOSIV-H	Reel

DTMOSIV-H MOSFETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie