STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC30G12 is an ultrahigh performance power Schottky rectifier manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Kwalifikacje
Opakowanie
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode
Karta charakterystyki
348Na stanie magazynowym
39,20 zł
35,29 zł
33,18 zł
20,59 zł
19,23 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole DO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.35 V 250 A 15 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
62,04 zł
35,55 zł
33,09 zł
32,82 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole DO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.35 V 250 A 15 uA - 55 C + 175 C Tube