X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt 725Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
340,74 zł
273,42 zł
247,46 zł
Opakowanie zbiorcze
247,46 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250
MACOM RF Amplifier 35W GaN MMIC 28V 9 to 10GHz Flange
238Na stanie magazynowym
5 178,01 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
MACOM RF Amplifier GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
6 536,33 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt