Tranzystory MOSFET OptiMOS™-5 IAUZ4xN06S5 60V Automotive

Tranzystory MOSFET OptiMOS™-5 IAUZ4xN06S5 60V Automotive firmy Infineon Technologies charakteryzują się niską rezystancją dren-źródło, niskim ładunkiem bramki i niską pojemnością bramki, co pozwala minimalizować straty przewodzenia i przełączania. Te n-kanałowe tranzystory MOSFET pracujące w trybie wzmocnienia charakteryzują się również bardzo niskim poziomem przechowywanego ładunku od 22,7 nC do 23,0 nC. 

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V) 7 437Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V) 13 723Na stanie magazynowym
35 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 60 V, N-Ch, 1.1 m max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
5 000Oczekiwane: 10.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 310 A 1.12 mOhms 20 V 3.4 V 105 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 60 V, N-Ch, 7.4 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5
5 000Oczekiwane: 08.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 7.4 mOhms 20 V 3.4 V 15.4 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape