Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Technologia
Nexperia GaN FETs GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8 526Na stanie magazynowym
1 500Oczekiwane: 09.11.2026
Odcinek taśmy
18,83 zł
9,77 zł
8,84 zł
7,70 zł
Opakowanie zbiorcze
6,56 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500
SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA 412Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 16.11.2026
Odcinek taśmy
14,74 zł
7,74 zł
6,91 zł
5,81 zł
5,68 zł
Opakowanie zbiorcze
4,93 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement GaN