MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie kolektor-baza VCBO Napięcie emiter–baza VEBO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Pd – strata mocy Wzmacniacze GBP fT Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Kwalifikacje Opakowanie
Panjit Bipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified 26 382Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
1,10 zł
0,62 zł
0,383 zł
0,273 zł
Opakowanie zbiorcze
0,163 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Bipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 13 971Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
0,796 zł
0,475 zł
0,286 zł
0,202 zł
Opakowanie zbiorcze
0,15 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel