Diody 1200 V CoolSiC Schottky

Diody 1200 V CoolSiC Schottky firmy Infineon są oferowane z prądem przewodzenia do 40 A w obudowie TO-247, 20 A w TO-220 i 10 A w DPAK. Są przeznaczone do falowników solarnych, UPS, zasilaczy 3P SMPS, urządzeń do przechowywania energii i napędów silnikowych. Dzięki obniżeniu napięcia przewodzenia i zależności od temperatury wprowadzają nowy poziom wydajności systemu. Ponadto sprawność cieplna udoskonalona w porównaniu z rozwiązaniami opartymi na krzemie zwiększa niezawodność systemu i możliwość zwiększenia mocy wyjściowej odpowiednio do danej wielkości urządzenia. W połączeniu z IGBT Si HighSpeed 3 zapewniają o 40% mniejsze straty przy włączeniu IGBT Si i mniejszą wartość EMI.
Dowiedz się więcej

Wyniki: 29
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
Karta charakterystyki
863Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 1.2 kV 1.65 V 140 A 5.5 uA - 55 C + 175 C IDH16G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology
Karta charakterystyki
234Na stanie magazynowym
720Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology
Karta charakterystyki
556Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology
Karta charakterystyki
88Na stanie magazynowym
1 200Oczekiwane: 24.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
4 490Na stanie magazynowym
6 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT Single 20 A 1.2 kV 1.8 V 198 A 123 uA - 55 C + 175 C IDK20G120C5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
Karta charakterystyki
29 467Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) Single 2 A 1.2 kV 1.4 V 37 A 1.2 uA - 55 C + 175 C IDM02G120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
Karta charakterystyki
4 945Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 30 A 1.2 kV 1.4 V 240 A 17 uA - 55 C + 175 C IDW30G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
Karta charakterystyki
4 044Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 1.2 kV 1.5 V 99 A 4 uA - 55 C + 175 C IDH10G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
2 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT Single 10 A 1.2 kV 1.8 V 99 A 62 uA - 55 C + 175 C IDK10G120C5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
Karta charakterystyki
1 459Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 24.06.2027
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) Single 8 A 1.2 kV 1.65 V 70 A 3 uA - 55 C + 175 C IDM08G120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
5 243Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) Single 10 A 1.2 kV 1.5 V 99 A 4 uA - 55 C + 175 C IDM10G120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
Karta charakterystyki
710Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 1.2 kV 1.4 V 190 A 12 uA - 55 C + 175 C IDW20G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 1.2 kV 1.4 V 290 A 23 uA - 55 C + 175 C IDW40G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
473Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.4 V 190 A 12 uA - 55 C + 175 C IDWD20G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
507Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 40 A 1.2 kV 1.4 V 290 A 23 uA - 55 C + 175 C IDWD40G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
90Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 5 A 1.2 kV 1.5 V 59 A 2.5 uA - 55 C + 175 C IDH05G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
Karta charakterystyki
950Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 1.2 kV 1.65 V 70 A 3 uA - 55 C + 175 C IDH08G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
151Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 01.10.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT Single 2 A 1.2 kV 1.65 V 18 A 50 uA - 55 C + 175 C IDKXG120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
52Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT Single 8 A 1.2 kV 1.95 V 70 A 40 uA - 55 C + 175 C IDK08G120C5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
125Na stanie magazynowym
5 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) Single 5 A 1.2 kV 1.5 V 59 A 2.5 uA - 55 C + 175 C IDM05G120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
Karta charakterystyki
56Na stanie magazynowym
480Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 10 A 1.2 kV 1.4 V 140 A 6 uA - 55 C + 175 C IDW10G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
Karta charakterystyki
133Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 08.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 15 A 1.2 kV 1.4 V 170 A 8 uA - 55 C + 175 C IDW15G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
63Na stanie magazynowym
6 240Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.2 kV 1.4 V 140 A 6 uA - 55 C + 175 C IDWD10G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
Karta charakterystyki
24Na stanie magazynowym
1 680Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.4 V 240 A 17 uA - 55 C + 175 C IDWD30G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
Karta charakterystyki
1 993Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 2 A 1.2 kV 1.4 V 37 A 1.2 uA - 55 C + 175 C IDH02G120C5 Tube