IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

Wyniki: 13
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału
IXYS SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L 900Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
49,10 zł
27,81 zł
27,46 zł
26,00 zł
Opakowanie zbiorcze
26,00 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO263 894Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
29,57 zł
20,02 zł
14,61 zł
Opakowanie zbiorcze
13,16 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L 870Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
33,75 zł
18,44 zł
16,94 zł
15,71 zł
Opakowanie zbiorcze
15,71 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L 900Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
40,88 zł
22,70 zł
21,60 zł
20,20 zł
Opakowanie zbiorcze
20,20 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L 813Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
45,10 zł
29,70 zł
26,84 zł
24,42 zł
Opakowanie zbiorcze
22,35 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL 2 084Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
49,10 zł
27,81 zł
27,46 zł
25,65 zł
Opakowanie zbiorcze
25,65 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs SiC MOSFET in TOLL 2 095Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
33,40 zł
18,22 zł
16,72 zł
16,54 zł
15,66 zł
Opakowanie zbiorcze
15,66 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs SiC MOSFET in TOLL 2 090Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
40,39 zł
22,44 zł
21,25 zł
20,15 zł
Opakowanie zbiorcze
20,15 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT TTOLL-8 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 520Na stanie magazynowym
50,03 zł
28,38 zł
26,31 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs TO247 1200V N CH 20A 542Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
28,16 zł
15,09 zł
12,32 zł
Opakowanie zbiorcze
12,32 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV 550Na stanie magazynowym
34,28 zł
18,74 zł
16,24 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV 550Na stanie magazynowym
41,18 zł
28,38 zł
20,64 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 537Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
46,07 zł
29,74 zł
27,59 zł
Opakowanie zbiorcze
24,07 zł
23,01 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement