Tranzystory GaN FET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CGHV60040D & CGHV60075D5 6GHz GaN HEMTs

MACOM CGHV60040D and CGHV60075D5 6GHz Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provide superior performance compared with silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs) transistors. These GaN HEMTs offer higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. Both series also offer greater power density and wider bandwidths and are ideal for a variety of applications, including cellular infrastructure and Class A, AB, and linear amplifiers. These 6GHz GaN HEMTs are offered as bare die with an overall size of 820μm x 1800μm x 100μm for CGHV60040D and 3000μm x 820μm x 100μm for CGHV60075D5.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 2

Zastosowane filtry:

Liczba kanałów

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Pd – strata mocy	Maksymalna częstotliwość robocza	Minimalna częstotliwość robocza	Technologia
	GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt CGHV60040D-GP4 MACOM 50: 547,67 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Produc. Nr części CGHV60040D-GP4 Nr części Mouser 941-CGHV60040D	MACOM	GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt Dowiedz się więcej o MACOM cghv600 gan hemts	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	547,67 zł	Min.: 50 Wielokr.: 10			SMD/SMT	Die	N-Channel	2 Channel	50 V	3.2 A				6 GHz	0 Hz	GaN
	GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt CGHV60075D5-GP4 MACOM Ograniczona dostępność	Produc. Nr części CGHV60075D5-GP4 Nr części Mouser 941-CGHV60075D	MACOM	GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt Dowiedz się więcej o MACOM cghv600 gan hemts Firma Mouser nie sprzedaje obecnie tego produktu w Twoim regionie.	Karta charakterystyki			Ograniczona dostępność			SMD/SMT	Die	N-Channel		150 V	10 A	280 mOhms	- 10 V, 2 V	41.6 W	6 GHz	0 Hz	GaN

CGHV60040D & CGHV60075D5 6GHz GaN HEMTs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie