Układy MOSFET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-kanałowe tranzystory MOSFET 30-45 V (D-S)

N-kanałowe tranzystory MOSFET 30-45 V (D-S) firmy Vishay to tranzystory mocy TrenchFET® Gen IV o bardzo niskiej wartości balansu rezystancji drenu RDS i ładunku bramki Qg (FOM). Urządzenia są dostrojone do najniższego RDS - Qoss FOM z systemem chłodzenia top-side, który zapewnia dodatkowe miejsce dla wymiany ciepła. Tranzystory MOSFET są w pełni testowane na oporność bramki Rg i przełączanie UIS.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 3

Zastosowane filtry:

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Technologia	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Opakowanie
MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET Vishay Semiconductors SIDR608EP-T1-RE3 SIDR608EP-T1-RE3 Vishay Semiconductors 1: 14,61 zł 11 272Na stanie magazynowym	Produc. Nr części SIDR608EP-T1-RE3 Nr części Mouser 78-SIDR608EP-T1-RE3	Vishay Semiconductors	MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors vishay n channel mosfets	Karta charakterystyki	11 272Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 14,61 zł 7,39 zł 6,69 zł 5,46 zł Opakowanie zbiorcze 5,10 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	PowerPAK SO-8	N-Channel	1 Channel	40 V	228 A	1.36 mOhms	- 16 V, 20 V	2.3 V	167 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET SIR4606DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: 8,80 zł 6 191Na stanie magazynowym 21 000Oczekiwane: 01.02.2027	Produc. Nr części SIR4606DP-T1-GE3 Nr części Mouser 78-SIR4606DP-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors vishay n channel mosfets	Karta charakterystyki	6 191Na stanie magazynowym 21 000Oczekiwane: 01.02.2027	Odcinek taśmy 8,80 zł 5,50 zł 3,61 zł 2,87 zł 2,66 zł Opakowanie zbiorcze 2,33 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	PowerPAK SO-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	4.9 mOhms	20 V	2.4 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET SIDR402EP-T1-RE3 Vishay Semiconductors 1: 15,09 zł 5 957Oczekiwane: 16.08.2027	Produc. Nr części SIDR402EP-T1-RE3 Nr części Mouser 78-SIDR402EP-T1-RE3	Vishay Semiconductors	MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors vishay n channel mosfets	Karta charakterystyki	5 957Oczekiwane: 16.08.2027	Odcinek taśmy 15,09 zł 8,80 zł 7,13 zł 6,07 zł 5,85 zł Opakowanie zbiorcze 5,24 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	PowerPAK SO-8	N-Channel	1 Channel	40 V	291 A	960 uOhms	- 16 V, 20 V	2.3 V	165 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

N-kanałowe tranzystory MOSFET 30-45 V (D-S)

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

Udostępnij to

N-kanałowe tranzystory MOSFET 30-45 V (D-S)

Zastosowane filtry: