Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp 1 148Na stanie magazynowym
12,85 zł
8,36 zł
5,81 zł
4,80 zł
4,16 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET 1 535Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
9,06 zł
5,81 zł
4,80 zł
4,09 zł
Opakowanie zbiorcze
3,78 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET
3 050Na stanie magazynowym
7,74 zł
5,28 zł
3,52 zł
3,03 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
1 157Na stanie magazynowym
9,06 zł
6,29 zł
4,44 zł
3,42 zł
3,29 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET 1 057Na stanie magazynowym
11,84 zł
6,29 zł
5,28 zł
4,31 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube