Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
3 603Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
14,21 zł
7,17 zł
6,47 zł
5,28 zł
Opakowanie zbiorcze
4,97 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms 20 V 2.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
1 517Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
14,78 zł
7,48 zł
6,78 zł
5,54 zł
Opakowanie zbiorcze
5,24 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 5.5 mOhms 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel