NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC MOSFET

onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC (Silicon Carbide) MOSFET is optimized for fast switching applications and offers a low 22mΩ drain-to-source on-resistance. The M3S Series SiC MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also work well with a 15V gate drive. This device features planar technology, which works reliably with a negative gate voltage drive and turns off spikes on the gate. 

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3 1 464Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
47,96 zł
27,72 zł
27,37 zł
25,87 zł
Opakowanie zbiorcze
25,87 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V 771Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
74,89 zł
49,94 zł
47,26 zł
Opakowanie zbiorcze
47,26 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3 132Na stanie magazynowym
800Oczekiwane: 13.04.2027
Odcinek taśmy
32,82 zł
20,68 zł
18,00 zł
15,27 zł
Opakowanie zbiorcze
15,27 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3 16Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
41,89 zł
25,26 zł
22,84 zł
21,56 zł
Opakowanie zbiorcze
21,56 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC