Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
Karta charakterystyki
964Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
Karta charakterystyki
800Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
Karta charakterystyki
3 104Na stanie magazynowym
3 200Oczekiwane: 12.11.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2.4 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
Karta charakterystyki
83Na stanie magazynowym
800Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 293 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
Karta charakterystyki
544Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 20.05.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
Karta charakterystyki
250Na stanie magazynowym
1 600Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 210 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
Karta charakterystyki
97Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 160 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel