Red Enhanced Silicon Photodiodes

Advanced Photonix Red Enhanced Silicon Photodiodes offer a variety of features and packages for numerous applications. The SD113-24-21-021 is a red enhanced Bi-Cell silicon photodiode with a gap of 100µm. It is ideal for accurate nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-5 metal package. The SD 197-23-21-041 is a red enhanced quad-cell silicon photodiode used for nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-8 metal package.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Opakowanie/obudowa Styl mocowania Długość fali szczytowej Prąd ciemny Vr – napięcie wsteczne Czas narastania Czas zanikania Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza
Advanced Photonix Photodiodes Red Enhanced Photodiode 132Na stanie magazynowym
189,07 zł
152,81 zł
138,47 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
PIN Photodiodes Wire 660 nm 1 nA 50 V 45 ns 45 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes Red Enhanced Photodiode 29Na stanie magazynowym
450,38 zł
356,31 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Photodiodes TO-8 Through Hole 1100 nm 1.4 nA 50 V 190 ns 13 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Photodiodes Blue Enhanced Photodiode 531Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 26.11.2026
Odcinek taśmy
22,97 zł
17,20 zł
13,86 zł
12,36 zł
Opakowanie zbiorcze
11,48 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500
PIN Photodiodes SMD/SMT 1100 nm 2 nA 32 V 20 ns 20 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes Red Enhanced Photodiode 46Na stanie magazynowym
293,66 zł
246,31 zł
228,80 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
PIN Photodiodes Wire 1100 nm 90 nA 50 V - 40 C + 100 C