Tranzystory IGBT – Mouser Polska

Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Bourns Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine technology from a MOSFET gate and a bipolar transistor and are designed for high voltage/high current applications. The Model BID IGBTs use advanced Trench-Gate Field-Stop technology to provide greater control of the dynamic characteristics, resulting in a lower Collector-Emitter Saturation Voltage and fewer switching losses. The IGBTs feature a -55°C to +150°C operating temperature range and are available in TO-252, TO-247, and TO-247N packages. These thermally efficient components provide a lower thermal resistance making them suitable IGBT solutions for Switch-Mode Power Supplies (SMPS), Uninterruptible Power Sources (UPS), and Power Factor Correction (PFC) applications.

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Technologia	Opakowanie/obudowa	Styl mocowania	Konfiguracja	Max. napięcie kolektor-emiter VCEO	Napięcie nasycenia kolektor-emiter	Maksymalne napięcie bramka–emiter	Ciągły prąd kolektora przy 25°C	Pd – strata mocy	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Seria	Opakowanie
IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252 BIDD05N60T Bourns 1: 8,45 zł 24 137Na stanie magazynowym	Produc. Nr części BIDD05N60T Nr części Mouser 652-BIDD05N60T	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252 Dowiedz się więcej o Bourns model bid igbt	Karta charakterystyki	24 137Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 8,45 zł 5,41 zł 3,65 zł 2,91 zł 2,67 zł Opakowanie zbiorcze 2,46 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 500	Si	TO-252-3	SMD/SMT	Single	600 V	1.5 V	- 30 V, 30 V	10 A	82 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Reel, Cut Tape, MouseReel
IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L BIDW75N65EH5 Bourns 1: 30,84 zł 5 797Na stanie magazynowym	Produc. Nr części BIDW75N65EH5 Nr części Mouser 652-BIDW75N65EH5	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L Dowiedz się więcej o Bourns model bid	Karta charakterystyki	5 797Na stanie magazynowym	30,84 zł 17,86 zł 15,00 zł 14,08 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	20 V	150 A	394 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L BIDW40N65ES5 Bourns 1: 22,04 zł 2 780Na stanie magazynowym	Produc. Nr części BIDW40N65ES5 Nr części Mouser 652-BIDW40N65ES5	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L Dowiedz się więcej o Bourns model bid	Karta charakterystyki	2 780Na stanie magazynowym	22,04 zł 12,50 zł 10,52 zł 10,12 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.35 V	20 V	80 A	230 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L BIDW40N65H5 Bourns 1: 21,87 zł 2 967Na stanie magazynowym	Produc. Nr części BIDW40N65H5 Nr części Mouser 652-BIDW40N65H5	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L Dowiedz się więcej o Bourns model bid	Karta charakterystyki	2 967Na stanie magazynowym	21,87 zł 12,50 zł 10,52 zł 10,47 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	20 V	80 A	300 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L BIDW75N65ES5 Bourns 1: 28,51 zł 2 773Na stanie magazynowym	Produc. Nr części BIDW75N65ES5 Nr części Mouser 652-BIDW75N65ES5	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L Dowiedz się więcej o Bourns model bid	Karta charakterystyki	2 773Na stanie magazynowym	28,51 zł 17,86 zł 15,00 zł 14,08 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.42 V	20 V	150 A	394 W	- 40 C	+ 175 C	BID	Tube
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N BIDNW30N60H3 Bourns 1: 21,38 zł 137Na stanie magazynowym	Produc. Nr części BIDNW30N60H3 Nr części Mouser 652-BIDNW30N60H3	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N Dowiedz się więcej o Bourns model bid igbt	Karta charakterystyki	137Na stanie magazynowym	21,38 zł 13,02 zł 10,43 zł 7,74 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	600 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	60 A	230 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 BIDW30N60T Bourns 1: 20,81 zł 14Na stanie magazynowym 3 600Oczekiwane: 22.10.2026	Produc. Nr części BIDW30N60T Nr części Mouser 652-BIDW30N60T	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 Dowiedz się więcej o Bourns model bid igbt	Karta charakterystyki	14Na stanie magazynowym 3 600Oczekiwane: 22.10.2026	20,81 zł 12,45 zł 10,21 zł 8,76 zł 8,45 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	600 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	60 A	230 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 BIDW50N65T Bourns 1: 25,56 zł 9Na stanie magazynowym 4 200Oczekiwane: 05.10.2026	Produc. Nr części BIDW50N65T Nr części Mouser 652-BIDW50N65T	Bourns	IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 Dowiedz się więcej o Bourns model bid igbt	Karta charakterystyki	9Na stanie magazynowym 4 200Oczekiwane: 05.10.2026	25,56 zł 15,27 zł 12,76 zł 10,91 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	100 A	416 W	- 55 C	+ 150 C	BID	Tube

Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie