PLN Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej 300 zł (PLN). Wszystkie dostępne opcje płatności
Euro Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej 75 € (EUR). Wszystkie dostępne opcje płatności
USD Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej $90 (USD). Wszystkie dostępne opcje płatności
Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny Zobacz specyfikację produktu
Generowanie łącza nie powiodło się. Spróbuj ponownie.
High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs
IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.