LMG3410R070 600V 70mΩ GaN Power Stage

Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN Power Stage with integrated driver and protection offers advantages over silicon MOSFETs. These include ultra-low input and output capacitance. Features include zero reverse recovery, which reduces switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to decrease EMI.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Rodzaj Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba sterowników Liczba wyjść Prąd wyjścia Napięcie zasilania – min. Napięcie zasilania – max. Konfiguracja Czas narastania Czas zanikania Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
Texas Instruments Gate Drivers 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHR 224Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
86,11 zł
68,99 zł
64,68 zł
59,97 zł
Opakowanie zbiorcze
56,01 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250
MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-32 1 Driver 1 Output 12 A 9.5 V 18 V Non-Inverting 2.9 ns 26 ns - 40 C + 125 C LMG3411R070 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Gate Drivers 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHT Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Opakowanie zbiorcze
34,50 zł
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000
MOSFET Gate Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT QFN-32 1 Driver 1 Output 9.5 V 18 V 15 ns 4.2 ns - 40 C + 125 C LMG3411R070 Reel