Tranzystory GaN FET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 2

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Polaryzacja tranzystora

Liczba kanałów

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Maksymalna temperatura robocza

Tryb kanału

Nazwa handlowa

Technologia

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Tryb kanału	Nazwa handlowa	Technologia
	GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN EPC2367 EPC 1: 29,13 zł 16 202Na stanie magazynowym 6 000Oczekiwane: 04.11.2026 Nowe produkty	Produc. Nr części EPC2367 Nr części Mouser 65-EPC2367 Nowe produkty	EPC	GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN Dowiedz się więcej o EPC 2367 egan fets	Karta charakterystyki	16 202Na stanie magazynowym 6 000Oczekiwane: 04.11.2026	Odcinek taśmy 29,13 zł 15,84 zł 14,52 zł 13,82 zł 12,32 zł Opakowanie zbiorcze 11,09 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000			SMD/SMT	QFN-5	N-Channel	1 Channel	100 V	101 A	1.2 mOhms	- 4 V, 6 V	2.5 V	17 nC	- 40 C	+ 150 C	Enhancement	eGaN FET	GaN
	GaN FETs 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. EPC EPC2367A EPC2367A EPC 1: 26,75 zł Niedostępne na stanie Nowości w Mouser	Produc. Nr części EPC2367A Nr części Mouser 65-EPC2367A Nowości w Mouser	EPC	GaN FETs 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. Dowiedz się więcej o EPC 2367 egan fets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie	26,75 zł 17,91 zł 14,39 zł 12,80 zł 10,30 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

Udostępnij to

Zastosowane filtry: