Tranzystory mocy GaN A5Gx Airfast RF

Tranzystory mocy Gan A5Gx Airfast firmy NXP SemiconductorsRF to asymetryczne tranzystory mocy Doherty RF 85W i 112W. Tranzystory NXP Semiconductors A5Gx są idealne do komórkowych stacji bazowych wymagających szerokiego pasma. Wydajność urządzeń jest gwarantowana w określonym zakresie częstotliwości dla każdej części, ale nie poza nim.

Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
Karta charakterystyki
213Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C

NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
Karta charakterystyki
35Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
Karta charakterystyki
65Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
Karta charakterystyki
208Oczekiwane: 13.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 53 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C