Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 957Na stanie magazynowym
2 160Dostępna ilość z otwartych zamówień
83,82 zł
62,61 zł
54,12 zł
51,22 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 530Na stanie magazynowym
2 160Dostępna ilość z otwartych zamówień
61,82 zł
47,08 zł
39,25 zł
34,94 zł
32,65 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 1 519Na stanie magazynowym
240Dostępna ilość z otwartych zamówień
48,62 zł
35,16 zł
29,30 zł
26,05 zł
24,38 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 374Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 14.12.2026
40,35 zł
21,96 zł
20,28 zł
20,24 zł
19,71 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 53Na stanie magazynowym
3 360Dostępna ilość z otwartych zamówień
111,85 zł
89,54 zł
77,44 zł
73,30 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 22Na stanie magazynowym
1 440Dostępna ilość z otwartych zamówień
50,03 zł
27,72 zł
26,00 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
2 710Dostępna ilość z otwartych zamówień
74,36 zł
56,67 zł
47,21 zł
42,02 zł
39,29 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
2 860Dostępna ilość z otwartych zamówień
35,99 zł
24,60 zł
20,28 zł
18,04 zł
16,90 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC