3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Linear Integrated Systems 3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature high input impedance, high gate breakdown, ultra-low leakage, and low capacitance. These MOSFETs offer -40V drain-source or drain-gate voltage, 50mA drain current, and 375mW (TO-72 case), and 350mW (SOT-143 case) power dissipation. The 3N163 P-Channel MOSFETs are available in the TO-72 RoHS, SOT-143 RoHS package, and as bare die. These MOSFETs are ideal for amplifier and switching applications.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Linear Integrated Systems MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 207Na stanie magazynowym
39,16 zł
21,78 zł
20,06 zł
19,40 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-72-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Bulk
Linear Integrated Systems MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Niedostępne na stanie
Opakowanie zbiorcze
11,22 zł
10,25 zł
Min.: 500
Wielokr.: 500
: 500
Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Niedostępne na stanie
Opakowanie zbiorcze
10,30 zł
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Niedostępne na stanie
24,46 zł
12,98 zł
11,84 zł
10,96 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement