TRSx65H SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSx65H Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) are 650V devices based on third-generation technology utilizing Schottky metal. These components optimize the junction barrier Schottky (JBS) structure of the second-generation products, lowering the electric field at the Schottky interface and reducing leakage current, delivering enhanced efficiency. TRSx65H achieves a 17% lower forward voltage (1.2V typical) and improves trade-offs between the forward voltage and the total capacitive charge (17nC typical) than 2nd-Gen devices. With an enhanced forward voltage and reverse current ratio, a typical 1.1µA insulation resistance is achieved. Other features include forward DC current of up to 12A and square-wave non-repetitive surge currents of up to 640A.

Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa If – prąd przewodzenia diody Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne Vf – Napięcie przewodzenia Ifsm – prąd udarowy przewodzenia Ir – Prąd wsteczny Opakowanie
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8 6 822Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
8,80 zł
4,28 zł
3,86 zł
3,69 zł
Opakowanie zbiorcze
3,69 zł
2,56 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8 2 134Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
12,14 zł
6,56 zł
5,37 zł
5,06 zł
Opakowanie zbiorcze
3,93 zł
3,82 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8 4 799Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
10,43 zł
5,15 zł
4,62 zł
4,28 zł
Opakowanie zbiorcze
4,28 zł
3,22 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8 1 933Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
13,29 zł
7,44 zł
6,07 zł
5,90 zł
Opakowanie zbiorcze
4,44 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L 1Na stanie magazynowym
9,59 zł
5,59 zł
3,47 zł
3,20 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-2L 3 A 650 V 1.2 V 170 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8 1 298Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
14,48 zł
8,45 zł
6,91 zł
6,69 zł
Opakowanie zbiorcze
6,69 zł
5,02 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L 50Na stanie magazynowym
13,16 zł
6,64 zł
6,34 zł
4,80 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-2L 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L 63Na stanie magazynowym
150Oczekiwane: 16.10.2026
14,43 zł
8,76 zł
7,26 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-2L 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L 208Na stanie magazynowym
8,80 zł
4,28 zł
4,24 zł
3,66 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-2L 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L 127Na stanie magazynowym
10,43 zł
5,10 zł
5,06 zł
4,62 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-2L 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L 21Na stanie magazynowym
12,54 zł
6,20 zł
5,54 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-2L 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
172Dostępna ilość z otwartych zamówień
8,36 zł
4,28 zł
3,04 zł
2,77 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-2L 2 A 650 V 1.2 V 120 A 2 uA Tube