MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs feature 1200V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature maximum power dissipation of 56W to 288W (Tc = 25°C) and continuous drain current of 10.5A to 53A (Tc = 25°C). The MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in TO-247AD 3L, TO-247AD 4L, and TO-263 7L packages. These MOSFETs are used in chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

Wyniki: 17
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 14.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 14.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 14.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
799Oczekiwane: 28.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
599Oczekiwane: 28.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
799Oczekiwane: 28.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
583Oczekiwane: 28.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 20.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 20.01.2027
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 17.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 28.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 28.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 18.11.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 28.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 18.11.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 28.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 17.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AD-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement