NV60x GaNFast™ Power FETs

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs are high‑performance enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems. These FETs feature ultra‑low gate charge, zero reverse‑recovery behavior, and minimized output charge, enabling high‑frequency operation up to 10MHz across the series. The Navitas Semiconductor NV60x supports 700V continuous and 800V transient drain‑to‑source voltages, providing robust headroom for demanding AC‑DC, DC‑DC, and DC‑AC topologies.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56 878Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
18,79 zł
10,69 zł
9,59 zł
8,80 zł
Opakowanie zbiorcze
7,61 zł
7,48 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56 887Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
19,36 zł
10,03 zł
9,11 zł
8,01 zł
Opakowanie zbiorcze
7,00 zł
6,82 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56 813Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
24,02 zł
14,83 zł
13,24 zł
12,94 zł
Opakowanie zbiorcze
11,00 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56 816Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
11,22 zł
5,54 zł
5,02 zł
4,05 zł
Opakowanie zbiorcze
3,72 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56 Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Opakowanie zbiorcze
3,33 zł
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000
SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56 Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Opakowanie zbiorcze
7,48 zł
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000
SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56 Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Opakowanie zbiorcze
6,82 zł
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000
SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56 Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Opakowanie zbiorcze
11,00 zł
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000
SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C