650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors feature advanced technology, meeting the demand for efficient energy applications. The Infineon Technologies 650V transistors feature a cutting-edge micro-pattern trench design for precise control and high performance. The design results in significant loss reduction, improved efficiency, and enhanced power density across various industries like string inverters, energy storage systems (ESS), EV charging, industrial UPS, and welding.

Wyniki: 28
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Karta charakterystyki
318Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
Karta charakterystyki
318Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Karta charakterystyki
417Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
268Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
Karta charakterystyki
188Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Karta charakterystyki
438Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 208 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Karta charakterystyki
317Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
450Na stanie magazynowym
2 160Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Karta charakterystyki
402Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 08.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Karta charakterystyki
476Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 29.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Karta charakterystyki
680Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
Karta charakterystyki
Czas realizacji 40 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Karta charakterystyki
235Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 19.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Karta charakterystyki
237Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 10.06.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Karta charakterystyki
232Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 249 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Karta charakterystyki
162Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 12.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 341 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Karta charakterystyki
97Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
82Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Karta charakterystyki
149Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 29.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Karta charakterystyki
187Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
Karta charakterystyki
27Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 15.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Karta charakterystyki
26Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 01.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
460Oczekiwane: 05.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube