Układy MOSFET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-Channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies N-channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs are N-channel, normal level devices with superior thermal resistance. The OptiMOS 7 80V Power MOSFET series offers a soft-recovery body diode and is rated to 175°C. The Infineon OptiMOS 7 80V Power MOSFETs are available in a PG‑TDSON‑8 package and are optimized for motor drives and synchronous rectification applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 3

Zastosowane filtry:

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Nazwa handlowa

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Technologia	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa	Opakowanie
MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V ISC034N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: 9,42 zł 18 504Na stanie magazynowym 5 000Oczekiwane: 03.12.2026 Nowe produkty	Produc. Nr części ISC034N08NM7ATMA1 Nr części Mouser 726-ISC034N08NM7ATMA Nowe produkty	Infineon Technologies	MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Karta charakterystyki	18 504Na stanie magazynowym 5 000Oczekiwane: 03.12.2026	Odcinek taśmy 9,42 zł 6,07 zł 4,12 zł 3,48 zł Opakowanie zbiorcze 2,58 zł Przeglądaj 3,09 zł 3,04 zł 2,55 zł Oferta	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	122 A	3.4 mOhms	20 V	3.2 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
MOSFETs OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 ISC019N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: 13,42 zł 120Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części ISC019N08NM7ATMA1 Nr części Mouser 726-ISC019N08NM7ATMA Nowe produkty	Infineon Technologies	MOSFETs OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Karta charakterystyki	120Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 13,42 zł 8,80 zł 6,29 zł 5,28 zł 5,06 zł Opakowanie zbiorcze 4,58 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	209 A	1.9 mOhms	20 V	3.2 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V ISC024N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: 12,63 zł 117Na stanie magazynowym 20 000Oczekiwane: 28.01.2027 Nowe produkty	Produc. Nr części ISC024N08NM7ATMA1 Nr części Mouser 726-ISC024N08NM7ATMA Nowe produkty	Infineon Technologies	MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Karta charakterystyki	117Na stanie magazynowym 20 000Oczekiwane: 28.01.2027	Odcinek taśmy 12,63 zł 7,13 zł 5,68 zł 4,49 zł Przeglądaj Opakowanie zbiorcze 3,59 zł 4,35 zł 4,20 zł 3,59 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	167 A	2.4 mOhms	20 V	3.2 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

N-Channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie