Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK

onsemi UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK-7L (7-lead Kelvin package) are based on a unique 'cascode' circuit configuration and feature excellent reverse recovery. This circuit configuration includes a normally-on SiC JFET to be co-packaged with Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow true “drop-in replacement” to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These high-performance SiC FETs operate at 175°C maximum temperature, 43nC low gate charge, and 5V typical threshold voltage. Typical applications include telecom and server power, motor drives, induction heating, and industrial power supplies.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 3

Zastosowane filtry:

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-7 UF3SC065030B7S onsemi 1: 94,07 zł 795Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UF3SC065030B7S Nr części Mouser 431-UF3SC065030B7S	onsemi	SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-7 Dowiedz się więcej o onsemi uf3sc sic d2pak fets	Karta charakterystyki	795Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 94,07 zł 63,36 zł 59,14 zł Opakowanie zbiorcze 59,14 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	650 V	62 A	27 mOhms	- 25 V, + 25 V	6 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO263-7 UF3SC065040B7S onsemi 1: 73,13 zł 736Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UF3SC065040B7S Nr części Mouser 431-UF3SC065040B7S	onsemi	SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO263-7 Dowiedz się więcej o onsemi uf3sc sic d2pak fets	Karta charakterystyki	736Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 73,13 zł 46,55 zł 43,91 zł 41,27 zł Opakowanie zbiorcze 40,96 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	650 V	43 A	42 mOhms	- 25 V, + 25 V	6 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	195 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO263-7 UF3SC120040B7S onsemi 1: 133,80 zł 138Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UF3SC120040B7S Nr części Mouser 431-UF3SC120040B7S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO263-7 Dowiedz się więcej o onsemi uf3sc sic d2pak fets	Karta charakterystyki	138Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 133,80 zł 100,32 zł 97,15 zł 88,35 zł Opakowanie zbiorcze 88,35 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	35 mOhms	- 25 V, + 25 V	6 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	SiC FET

UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

Udostępnij to

UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK

Zastosowane filtry: