Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Tranzystory FET SiC UF4C/SC 1200 V Gen 4

Tranzystory FET SiC UF4C/SC 1200 V Gen 4 firmy Qorvo to wysokowydajna seria zapewniająca najlepszą w branży jakość. Tranzystory FET SiC UF4C/SC 1200 V Gen 4 nadają się idealnie do głównego nurtu architektury magistrali 800 V w ładowarkach wbudowanych w pojazdach elektrycznych, ładowarkach przemysłowych, zasilaczach przemysłowych, odnawialnych źródłach energii, magazynach energii, spawalniach, zasilaczach UPS i zastosowaniach związanych z ogrzewaniem indukcyjnym. Seria Gen 4 dostępna w wersjach od 23 mΩ do 70 mΩ bazuje na unikalnej konfiguracji kaskody, w której wysokowydajny SiC JFET jest połączony ze zoptymalizowaną kaskodą Si-MOSFET, tworząc standardowe urządzenie SiC do zasilania bramki. Właściwość ta pozwala na elastyczne projektowanie bez zmiany napięcia zasilania bramki, łatwo zastępując układy Si IGBT, Si FET, SiC FET lub urządzenia superzłączowe Si.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 11

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Tryb kanału

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa
SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO24 UF4SC120023K4S onsemi 1: 99,70 zł 673Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UF4SC120023K4S Nr części Mouser 431-UF4SC120023K4S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO24 Dowiedz się więcej o onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Karta charakterystyki	673Na stanie magazynowym	99,70 zł 83,51 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 Maks.: 600	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	53 A	29 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 UF4C120070K4S onsemi 1: 54,69 zł 388Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UF4C120070K4S Nr części Mouser 431-UF4C120070K4S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 Dowiedz się więcej o onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Karta charakterystyki	388Na stanie magazynowym	54,69 zł 35,20 zł 29,61 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	27.5 A	91 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	217 W		SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 UF4C120053K4S onsemi 1: 62,30 zł 747Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UF4C120053K4S Nr części Mouser 431-UF4C120053K4S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 Dowiedz się więcej o onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Karta charakterystyki	747Na stanie magazynowym	62,30 zł 36,56 zł 35,33 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	34 A	67 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	263 W		SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO263-7 UF4C120053B7S onsemi 1: 60,37 zł 580Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UF4C120053B7S Nr części Mouser 772-UF4C120053B7S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO263-7 Dowiedz się więcej o onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Karta charakterystyki	580Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 60,37 zł 35,86 zł 35,46 zł Opakowanie zbiorcze 33,92 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	34 A	53 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO263-7 UF4C120070B7S onsemi 1: 52,36 zł 513Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UF4C120070B7S Nr części Mouser 772-UF4C120070B7S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO263-7 Dowiedz się więcej o onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Karta charakterystyki	513Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 52,36 zł 30,05 zł Opakowanie zbiorcze 28,25 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	25.7 A	72 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO26 UF4SC120030B7S onsemi 1: 82,72 zł 717Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UF4SC120030B7S Nr części Mouser 772-UF4SC120030B7S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO26 Dowiedz się więcej o onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Karta charakterystyki	717Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 82,72 zł 53,81 zł 52,84 zł Opakowanie zbiorcze 52,84 zł Oferta Oferta	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	39 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	341 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-3 UF4C120053K3S onsemi 1: 61,20 zł 282Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UF4C120053K3S Nr części Mouser 431-UF4C120053K3S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-3 Dowiedz się więcej o onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Karta charakterystyki	282Na stanie magazynowym	61,20 zł 34,72 zł 34,58 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	34 A	67 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	263 W		SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-3 UF4C120070K3S onsemi 1: 53,24 zł 272Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UF4C120070K3S Nr części Mouser 431-UF4C120070K3S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-3 Dowiedz się więcej o onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Karta charakterystyki	272Na stanie magazynowym	53,24 zł 29,74 zł 28,82 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 Maks.: 600	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	27.5 A	91 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	217 W		SiC FET
SiC MOSFETs UF4C120053B7S UF4C120053B7SSR onsemi 1: 65,82 zł 200Na stanie magazynowym Zamówienie specjalne z fabryki	Produc. Nr części UF4C120053B7SSR Nr części Mouser 772-UF4C120053B7SSR Zamówienie specjalne z fabryki	onsemi	SiC MOSFETs UF4C120053B7S Dowiedz się więcej o onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Karta charakterystyki	200Na stanie magazynowym	65,82 zł 50,16 zł 41,76 zł Przeglądaj 37,18 zł 34,76 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	34 A	53 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFETs UF4C120070B7S UF4C120070B7SSR onsemi 1: 54,69 zł 170Na stanie magazynowym Zamówienie specjalne z fabryki	Produc. Nr części UF4C120070B7SSR Nr części Mouser 772-UF4C120070B7SSR Zamówienie specjalne z fabryki	onsemi	SiC MOSFETs UF4C120070B7S Dowiedz się więcej o onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Karta charakterystyki	170Na stanie magazynowym	54,69 zł 41,67 zł 34,72 zł Przeglądaj 30,93 zł 29,04 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	25.7 A	72 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO24 UF4SC120030K4S onsemi 600: 53,42 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 31 tygodni	Produc. Nr części UF4SC120030K4S Nr części Mouser 431-UF4SC120030K4S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO24 Dowiedz się więcej o onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 31 tygodni	53,42 zł	Min.: 600 Wielokr.: 600	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	53 A	39 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	341 W	Enhancement	SiC FET

Tranzystory FET SiC UF4C/SC 1200 V Gen 4

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie