RB098BGE Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RB098BGE Schottky Barrier Diodes are high reliability, power mold type devices. The RB098BGE features super low IR and a cathode common dual type. The device also features a silicon epitaxial planar structure.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Styl mocowania Opakowanie/obudowa Konfiguracja Technologia If – prąd przewodzenia diody Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne Vf – Napięcie przewodzenia Ifsm – prąd udarowy przewodzenia Ir – Prąd wsteczny Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 60V 6A SM SKY BARRI 2 359Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
8,93 zł
4,35 zł
3,78 zł
3,10 zł
2,90 zł
Opakowanie zbiorcze
2,60 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 60 V 830 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 30V 3A SM SKY BARRI 2 490Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
9,86 zł
4,84 zł
4,20 zł
3,48 zł
3,29 zł
Opakowanie zbiorcze
2,99 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 35 V 720 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 40V 3A SM SKY BARRI Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Opakowanie zbiorcze
2,60 zł
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500
Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 45 V 770 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel