NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs are high-performance 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs with a typical RDS(on) of 23mΩ and excellent thermal and switching characteristics. These MOSFETs feature low effective output capacitance, high efficiency, fast switching, and ultra-low gate charge. The NxT2023N065M3S MOSFETs support continuous drain currents up to 72A and operate across a wide temperature range from -55°C to 175°C. These MOSFETs are RoHS-compliant, halide-free, and housed in a compact T2PAK-7L package. The NVT2023N065M3S EliteSiC MOSFET is AEC-Q101 qualified, making it ideal for automotive-grade applications such as on-board chargers and DC-DC converters in EV/HEV platforms. The NTT2023N065M3S EliteSiC MOSFET is suitable for SMPS, solar inverters, UPS, energy storage, and EV charging infrastructure.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału


onsemi SiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M3S 23MOHM 1 279Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
33,40 zł
18,22 zł
Opakowanie zbiorcze
18,22 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 80
: 800
SMD/SMT T2PAK-7 1 Channel 650 V 72 A 32.6 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 74 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
onsemi SiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M3S 23MR 663Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
42,81 zł
23,94 zł
Opakowanie zbiorcze
23,94 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 80
: 800
SMD/SMT T2PAK-7 1 Channel 650 V 72 A 32.6 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 74 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement