Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

M3P EliteSiC MOSFETs

onsemi M3P EliteSiC MOSFETs are a solution for high-voltage applications with a maximum voltage rating of 1200V. The onsemi M3P MOSFETs come in D2PAK7, TO-247-3LD, and TO-247-4LD packages/ The MOSFETs provide versatility for various design requirements. With a maximum gate-to-source voltage of +22V/-10V, EliteSiC MOSFETs boast improved parasitic capacitances, including Coss, Ciss, and Crss.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 2

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Id – Ciągły prąd drenu

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa
	SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V NTBG014N120M3P onsemi 1: 119,94 zł 863Na stanie magazynowym	Produc. Nr części NTBG014N120M3P Nr części Mouser 863-NTBG014N120M3P	onsemi	SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V Dowiedz się więcej o onsemi ntbg014n120m3p mosfet	Karta charakterystyki	863Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 119,94 zł 86,15 zł 81,58 zł Opakowanie zbiorcze 81,58 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800			SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	104 A	20 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.63 V	337 nC	- 55 C	+ 175 C	454 W	Enhancement	EliteSiC
	SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V NTH4L014N120M3P onsemi 1: 113,08 zł 432Na stanie magazynowym	Produc. Nr części NTH4L014N120M3P Nr części Mouser 863-NTH4L014N120M3P	onsemi	SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V Dowiedz się więcej o onsemi nth4l014n120m3p mosfet	Karta charakterystyki	432Na stanie magazynowym	113,08 zł 80,78 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	127 A	20 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.63 V	329 nC	- 55 C	+ 175 C	686 W	Enhancement	EliteSiC

M3P EliteSiC MOSFETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie