600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Qg), very low recovery charge (Qrr), low recovery time (trr), and an excellent RDS(on) per area.

Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET 475Na stanie magazynowym
31,77 zł
17,25 zł
15,84 zł
14,65 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package 270Na stanie magazynowym
38,46 zł
26,36 zł
21,74 zł
21,16 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms 25 V 3.25 V 117 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 585Na stanie magazynowym
30,32 zł
18,96 zł
16,32 zł
13,73 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 2 632Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
30,89 zł
19,18 zł
16,37 zł
14,74 zł
13,46 zł
Opakowanie zbiorcze
13,20 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package 1 187Na stanie magazynowym
18,44 zł
9,50 zł
7,44 zł
7,04 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
6,69 zł
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
22,92 zł
Min.: 600
Wielokr.: 600
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
51,22 zł
37,44 zł
31,20 zł
27,76 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
18,26 zł
Min.: 600
Wielokr.: 600
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 42 mOhms 25 V 3.25 V 99 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube