DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance RDS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.

Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A 3 372Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
10,96 zł
5,41 zł
4,88 zł
3,93 zł
3,82 zł
Opakowanie zbiorcze
3,49 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A 3 850Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
9,11 zł
4,44 zł
4,01 zł
3,18 zł
3,09 zł
Opakowanie zbiorcze
2,71 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A 1 353Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
9,02 zł
4,39 zł
3,93 zł
3,13 zł
3,04 zł
Opakowanie zbiorcze
2,67 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A 1 038Na stanie magazynowym
11,79 zł
5,50 zł
4,24 zł
3,78 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A 1 858Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
8,14 zł
3,93 zł
3,52 zł
2,87 zł
Opakowanie zbiorcze
2,37 zł
2,32 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A 95Na stanie magazynowym
12,54 zł
6,29 zł
6,07 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A 566Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
10,38 zł
6,64 zł
4,53 zł
3,82 zł
Opakowanie zbiorcze
3,23 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A 177Na stanie magazynowym
12,80 zł
6,34 zł
5,63 zł
4,84 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
10,60 zł
6,82 zł
4,71 zł
3,78 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
11,92 zł
7,70 zł
5,28 zł
4,28 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Opakowanie zbiorcze
3,23 zł
3,07 zł
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
9,86 zł
6,29 zł
4,28 zł
3,64 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube