GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FETs

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FETs are general-purpose, normally off e-mode devices that deliver superior performance and very low on-state resistance.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Technologia
Nexperia GaN FETs GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7 2 457Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
40,22 zł
22,31 zł
21,16 zł
19,36 zł
Opakowanie zbiorcze
17,95 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
SMD/SMT VQFN-7 P-Channel 1 Channel 100 V 100 A 1.8 mOhms 6 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C 65 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22 1 453Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
22,13 zł
11,62 zł
10,60 zł
9,59 zł
8,14 zł
Opakowanie zbiorcze
8,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500
SMD/SMT WLCSP-22 P-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.7 mOhms 5.5 V 2.5 V 13 nC - 40 C + 150 C 470 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6 988Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
10,25 zł
5,02 zł
4,53 zł
3,62 zł
Opakowanie zbiorcze
3,19 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500
SMD/SMT VQFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 7 mOhms 6 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C 182 W Enhancement GaN