QPD1028 & QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors

Qorvo QPD1028 and QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors are discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide HEMT (High-Electron-Mobility Transistors) operating from 1.2GHz to 1.4GHz. These devices provide 59dBm of saturated output power with 18dB of large-signal gain and 70% of drain efficiency. The QPD1028 and QPD1028L Transistors are internally pre-matched for optimal performance can support both continuous wave and pulsed operations.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Technologia
Qorvo GaN FETs 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Earl 11Na stanie magazynowym
10 525,02 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W GaN SiC
Qorvo GaN FETs 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Flan Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
10 525,02 zł
Min.: 18
Wielokr.: 18
SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W GaN SiC