CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT
MACOM CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band. The gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) delivers an extended pulse capability to meet emerging radar architecture trends.
Nie znaleziono wyników.
Spróbuj zmodyfikować szukany termin poniżej lub odwiedź nasze Centrum pomocy.
Spróbuj zmodyfikować szukany termin poniżej lub odwiedź nasze Centrum pomocy.
Sugestie wyszukiwania
- Sprawdzić pisownię numeru części lub słów kluczowych
- Użyj mniejszej liczby słów kluczowych lub użyj innych słów
- Wyszukiwanie jednorazowo 1 części
- Zastosuj jednorazowo jeden filtr
