Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Motoryzacyjne tranzystory mocy MOSFET na bazie węglika krzemu

Motoryzacyjne tranzystory MOSFET na bazie węglika krzemu zostały opracowywane przy użyciu zaawansowanej i innowacyjnej technologii SiC MOSFET drugiej i trzeciej generacji firmy STMicroelectronics. Urządzenia te charakteryzują się niską rezystancją włączenia na jednostkę powierzchni i bardzo dobrą wydajnością przełączania. Tranzystory MOSFET charakteryzują się bardzo wysoką temperaturą roboczą (TJ = 200°C) oraz bardzo szybką i wytrzymałą diodą wewnętrzną.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 18

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Kwalifikacje
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: 86,11 zł 32Na stanie magazynowym 1 200Oczekiwane: 19.02.2027 Nowe produkty	Produc. Nr części SCT020HU120G3AG Nr części Mouser 511-SCT020HU120G3AG Nowe produkty	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	32Na stanie magazynowym 1 200Oczekiwane: 19.02.2027	Odcinek taśmy 86,11 zł 59,14 zł 54,34 zł Opakowanie zbiorcze 49,19 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: 90,07 zł 570Na stanie magazynowym	Produc. Nr części SCT012W90G3-4AG Nr części Mouser 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	570Na stanie magazynowym	90,07 zł 53,50 zł 51,92 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 100,41 zł 524Na stanie magazynowym	Produc. Nr części SCT015W120G3-4AG Nr części Mouser 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	524Na stanie magazynowym	100,41 zł 62,79 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 76,56 zł 246Na stanie magazynowym 600Oczekiwane: 23.07.2027	Produc. Nr części SCT020W120G3-4AG Nr części Mouser 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	246Na stanie magazynowym 600Oczekiwane: 23.07.2027	76,56 zł 46,07 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: 51,57 zł 954Na stanie magazynowym	Produc. Nr części SCT040H120G3AG Nr części Mouser 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	954Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 51,57 zł 29,35 zł 29,26 zł Opakowanie zbiorcze 27,68 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 79,86 zł 13Na stanie magazynowym 1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części SCT025W120G3-4AG Nr części Mouser 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	13Na stanie magazynowym 1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: SCT025W120G3-4AG Stany magazynowe: 13 Wysylamy natychmiast Dostępna ilość z otwartych zamówień: 600 Oczekiwane: 30.04.2027 600 Oczekiwane: 11.06.2027 Średni czas produkcji: 36 tygodni	79,86 zł 55,09 zł 50,29 zł 46,24 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: 71,72 zł 44Na stanie magazynowym 600Oczekiwane: 07.05.2027	Produc. Nr części SCT025W120G3AG Nr części Mouser 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	44Na stanie magazynowym 600Oczekiwane: 07.05.2027	71,72 zł 44,62 zł 41,84 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: 52,58 zł 16Na stanie magazynowym 600Oczekiwane: 14.05.2027	Produc. Nr części SCT040W120G3AG Nr części Mouser 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	16Na stanie magazynowym 600Oczekiwane: 14.05.2027	52,58 zł 36,92 zł 28,20 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics 1: 76,34 zł 5Na stanie magazynowym 600Oczekiwane: 19.02.2027	Produc. Nr części SCTW40N120G2VAG Nr części Mouser 511-SCTW40N120G2VAG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	5Na stanie magazynowym 600Oczekiwane: 19.02.2027	76,34 zł 40,88 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	100 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.9 V	61 nC	- 55 C	+ 200 C	278 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package SCT011HU75G3AG STMicroelectronics 1: 103,93 zł 1 200Oczekiwane: 25.06.2027 Nowe produkty	Produc. Nr części SCT011HU75G3AG Nr części Mouser 511-SCT011HU75G3AG Nowe produkty	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	1 200Oczekiwane: 25.06.2027	Odcinek taśmy 103,93 zł 78,10 zł 71,72 zł Opakowanie zbiorcze 65,82 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	750 V	110 A	15 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.2 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package SCT016H120G3AG STMicroelectronics 1: 97,64 zł 1 985Dostępna ilość z otwartych zamówień Nowe produkty	Produc. Nr części SCT016H120G3AG Nr części Mouser 511-SCT016H120G3AG Nowe produkty	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	1 985Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: SCT016H120G3AG Stany magazynowe: 0 Dostępna ilość z otwartych zamówień: 985 Oczekiwane: 19.02.2027 1 000 Oczekiwane: 30.04.2027 Średni czas produkcji: 25 tygodni	Odcinek taśmy 97,64 zł 66,92 zł 65,16 zł Opakowanie zbiorcze 60,32 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	112 A	22 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	150 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT025H120G3AG STMicroelectronics 1: 69,48 zł 1 997Oczekiwane: 03.09.2027	Produc. Nr części SCT025H120G3AG Nr części Mouser 511-SCT025H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	1 997Oczekiwane: 03.09.2027	Odcinek taśmy 69,48 zł 43,03 zł 42,81 zł Opakowanie zbiorcze 40,70 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	55 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package SCT012H90G3AG STMicroelectronics 1: 88,26 zł 998Oczekiwane: 29.01.2027	Produc. Nr części SCT012H90G3AG Nr części Mouser 511-SCT012H90G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	998Oczekiwane: 29.01.2027	Odcinek taśmy 88,26 zł 57,51 zł 57,42 zł 53,99 zł Opakowanie zbiorcze 51,35 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	900 V	110 A	12 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	138 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package SCT040HU120G3AG STMicroelectronics 1: 62,39 zł 1 200Oczekiwane: 12.03.2027 Nowe produkty	Produc. Nr części SCT040HU120G3AG Nr części Mouser 511-SCT040HU120G3AG Nowe produkty	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	1 200Oczekiwane: 12.03.2027	Odcinek taśmy 62,39 zł 39,95 zł 35,11 zł Opakowanie zbiorcze 29,88 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A SCT040HU65G3AG STMicroelectronics 1: 51,70 zł 600Oczekiwane: 24.09.2027	Produc. Nr części SCT040HU65G3AG Nr części Mouser 511-SCT040HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	600Oczekiwane: 24.09.2027	Odcinek taśmy 51,70 zł 39,38 zł 32,82 zł Opakowanie zbiorcze 29,26 zł 27,68 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 600	SMD/SMT	H2PAK-2	1 Channel	650 V	7 A	40 mOhms	- 30 V, + 30 V	5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	266 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055HU65G3AG STMicroelectronics 1: 51,22 zł 1 800Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części SCT055HU65G3AG Nr części Mouser 511-SCT055HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	1 800Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: SCT055HU65G3AG Stany magazynowe: 0 Dostępna ilość z otwartych zamówień: 600 Oczekiwane: 12.02.2027 1 200 Oczekiwane: 19.02.2027 Średni czas produkcji: 36 tygodni	Odcinek taśmy 51,22 zł 33,09 zł 30,14 zł Opakowanie zbiorcze 27,41 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	185 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: 55,53 zł 599Oczekiwane: 11.11.2026	Produc. Nr części SCT070HU120G3AG Nr części Mouser 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Karta charakterystyki	599Oczekiwane: 11.11.2026	Odcinek taśmy 55,53 zł 38,10 zł 33,57 zł Opakowanie zbiorcze 30,27 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package SCT040W120G3-4 STMicroelectronics 1: 50,78 zł 100Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części SCT040W120G3-4 Nr części Mouser 511-SCT040W120G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	100Dostępna ilość z otwartych zamówień	50,78 zł 33,44 zł 29,35 zł 24,99 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101

Motoryzacyjne tranzystory mocy MOSFET na bazie węglika krzemu

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie