MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (VDS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (VGS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
Toshiba MOSFETs Small-Signal MOSFET
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
42 319Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
17 763Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
18 623Na stanie magazynowym
18 000Oczekiwane: 27.11.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 100 mA 20 Ohms - 7 V, 7 V 900 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
2 999Na stanie magazynowym
3 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 6 nC + 150 C 1.6 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
406Na stanie magazynowym
33 000Oczekiwane: 04.09.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
836Na stanie magazynowym
9 000Oczekiwane: 16.10.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 440 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
7 308Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 2 Channel 50 V 100 mA 20 Ohms - 7 V, 7 V 900 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel