BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The device employs Trench MOSFET technology and offers a low threshold voltage with very fast switching. The BSH205G2 MOSFET is ideal for applications like relay drivers, high-speed line drivers and switching circuits.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Nexperia MOSFETs BSH205G2A/SOT23/TO-236AB 155 471Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
1,48 zł
0,664 zł
0,58 zł
0,428 zł
Opakowanie zbiorcze
0,319 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 118 mOhms 8 V 900 mV 4.6 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs BSH205G2/SOT23/TO-236AB
34 579Dostępna ilość z otwartych zamówień
Odcinek taśmy
2,10 zł
1,43 zł
0,907 zł
0,634 zł
0,575 zł
Opakowanie zbiorcze
0,441 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 170 mOhms 8 V 450 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs BSH205G2/SOT23/TO-236AB
19 999Oczekiwane: 22.01.2027
Odcinek taśmy
2,10 zł
1,43 zł
0,907 zł
0,571 zł
Opakowanie zbiorcze
0,332 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 170 mOhms 8 V 950 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel