Wyniki: 10
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 639Na stanie magazynowym
33,40 zł
22,13 zł
20,42 zł
20,28 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V 3 245Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
103,88 zł
80,78 zł
77,09 zł
76,47 zł
Opakowanie zbiorcze
76,47 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217Na stanie magazynowym
65,96 zł
38,06 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 497Na stanie magazynowym
38,37 zł
25,48 zł
23,98 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V 312Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
46,42 zł
26,14 zł
25,52 zł
24,16 zł
Opakowanie zbiorcze
24,16 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 650V 1 364Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
47,92 zł
29,30 zł
27,63 zł
Opakowanie zbiorcze
27,63 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V 202Na stanie magazynowym
108,86 zł
76,43 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3 361Na stanie magazynowym
1 350Dostępna ilość z otwartych zamówień
36,08 zł
20,28 zł
18,66 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS 60MOHM 900V 330Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
50,29 zł
32,30 zł
30,54 zł
Opakowanie zbiorcze
30,54 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 13Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 09.02.2027
40,96 zł
24,68 zł
20,02 zł
18,26 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC