Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

Przejdź do głównej treści

Jesteśmy częścią TTI Family of SpecialistsKontakt z Mouser: +48 71 749 74 00Opinie

Zmień lokalizację

+48 71 749 74 00 Zmień lokalizację

Na stanie

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 7

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa
	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 34,63 zł 309Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMZA65R048M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	309Na stanie magazynowym	34,63 zł 21,03 zł 20,68 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFETs SIC_DISCRETE AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies 1: 83,12 zł 724Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części AIMW120R045M1XKSA1 Nr części Mouser 726-AIMW120R045M1XKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SIC_DISCRETE Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 1200v automotive coolsic modules	Karta charakterystyki	724Na stanie magazynowym	83,12 zł 60,94 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	52 A	59 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.7 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 54,43 zł 1 731Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IMW65R027M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	1 731Na stanie magazynowym	54,43 zł 33,84 zł 32,82 zł 32,43 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 31,33 zł 18Na stanie magazynowym 720Dostępna ilość z otwartych zamówień NRND	Produc. Nr części IMW120R140M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Karta charakterystyki	18Na stanie magazynowym 720Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IMW120R140M1HXKSA1 Stany magazynowe: 18 Wysylamy natychmiast Dostępna ilość z otwartych zamówień: 240 Oczekiwane: 05.11.2026 480 Do ustalenia Średni czas produkcji: 52 tygodni	31,33 zł 22,04 zł 17,86 zł 14,04 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 22,88 zł 24 949Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części IMBF170R1K0M1XTMA1 Nr części Mouser 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Karta charakterystyki	24 949Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IMBF170R1K0M1XTMA1 Stany magazynowe: 0 Dostępna ilość z otwartych zamówień: 1 949 Oczekiwane: 07.01.2027 23 000 Do ustalenia Średni czas produkcji: 53 tygodni	Odcinek taśmy 22,88 zł 15,00 zł 11,22 zł 9,37 zł Opakowanie zbiorcze 8,14 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000			SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 70,14 zł 2 160Dostępna ilość z otwartych zamówień NRND	Produc. Nr części IMZ120R030M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Karta charakterystyki	2 160Dostępna ilość z otwartych zamówień	70,14 zł 53,42 zł 44,53 zł 39,64 zł 37,05 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 240: 16,15 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni NRND	Produc. Nr części IMZA65R072M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni	16,15 zł 16,10 zł	Min.: 240 Wielokr.: 240			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC