DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

Wyniki: 16
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs 230W 1MHz 8x8DFN 7 245Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
24,55 zł
12,98 zł
11,88 zł
11,00 zł
Opakowanie zbiorcze
10,82 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ 99Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
11,57 zł
5,68 zł
5,10 zł
4,24 zł
Opakowanie zbiorcze
4,24 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 9.7 A 430 mOhms 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 230W 1MHz TO-247 2Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
31,77 zł
16,63 zł
Opakowanie zbiorcze
16,63 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 3 792Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
22,04 zł
11,13 zł
9,37 zł
9,02 zł
Opakowanie zbiorcze
9,02 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 1 035Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
28,25 zł
13,24 zł
10,82 zł
Opakowanie zbiorcze
10,82 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 1 964Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
15,88 zł
7,61 zł
7,17 zł
Opakowanie zbiorcze
5,81 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V 1 969Na stanie magazynowym
47,17 zł
26,09 zł
24,42 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms 30 V 3 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 4 000Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
34,54 zł
21,08 zł
18,26 zł
16,54 zł
14,65 zł
Opakowanie zbiorcze
13,24 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ 49Na stanie magazynowym
28,86 zł
15,53 zł
14,21 zł
12,89 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ 88Na stanie magazynowym
16,37 zł
8,58 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9.5 A 550 mOhms 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFETs 270W 1MHz TO-247
458Oczekiwane: 13.11.2026
Odcinek taśmy
33,53 zł
22,84 zł
Opakowanie zbiorcze
22,84 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 65 mOhms 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
59Oczekiwane: 13.11.2026
25,52 zł
15,84 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs 360W 1MHz TO-247-4L(T) Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Odcinek taśmy
61,86 zł
35,99 zł
Opakowanie zbiorcze
35,99 zł
33,40 zł
32,87 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 25
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms 30 V 4 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
41,49 zł
25,21 zł
21,25 zł
20,55 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=230W F=1MHZ Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
28,12 zł
14,74 zł
13,46 zł
11,88 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Opakowanie zbiorcze
6,86 zł
6,64 zł
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000
Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel