Układy MOSFET – Mouser Polska

Przejdź do głównej treści

Jesteśmy częścią TTI Family of SpecialistsKontakt z Mouser: +48 71 749 74 00Opinie

Zmień lokalizację

+48 71 749 74 00 Zmień lokalizację

Na stanie

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest R_DS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 6

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Opakowanie

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Technologia	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa	Opakowanie
	MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package STW3N170 STMicroelectronics 1: 25,26 zł 707Na stanie magazynowym	Produc. Nr części STW3N170 Nr części Mouser 511-STW3N170	STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Karta charakterystyki	707Na stanie magazynowym	25,26 zł 13,11 zł 12,01 zł 10,78 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole	TO-3PF-3	N-Channel	1 Channel	1.7 kV	2.6 A	13 Ohms	30 V	3 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	PowerMESH	Tube
	MOSFETs N-channel 1500 V PowerMesh STW4N150 STMicroelectronics 1: 30,71 zł 1 339Na stanie magazynowym	Produc. Nr części STW4N150 Nr części Mouser 511-STW4N150	STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 1500 V PowerMesh Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Karta charakterystyki	1 339Na stanie magazynowym	30,71 zł 18,48 zł 16,54 zł 14,56 zł 13,11 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	1.5 kV	4 A	7 Ohms	30 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	160 W	Enhancement	PowerMESH	Tube
	MOSFETs N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH STFW3N150 STMicroelectronics 1: 17,82 zł 10Na stanie magazynowym 4 200Oczekiwane: 08.01.2027	Produc. Nr części STFW3N150 Nr części Mouser 511-STFW3N150	STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Karta charakterystyki	10Na stanie magazynowym 4 200Oczekiwane: 08.01.2027	17,82 zł 10,47 zł 8,36 zł 7,22 zł Przeglądaj 6,95 zł 6,78 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole	TO-3PF-3	N-Channel	1 Channel	1.5 kV	2.5 A	9 Ohms	20 V	3 V	29.3 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	PowerMESH	Tube
	MOSFETs PowerMESH MOSFET STP4N150 STMicroelectronics 1: 23,06 zł 56Na stanie magazynowym 5 000Oczekiwane: 09.07.2027	Produc. Nr części STP4N150 Nr części Mouser 511-STP4N150	STMicroelectronics	MOSFETs PowerMESH MOSFET Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Karta charakterystyki	56Na stanie magazynowym 5 000Oczekiwane: 09.07.2027	23,06 zł 12,54 zł 11,44 zł 10,69 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	1.5 kV	4 A	5 Ohms	30 V	3 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	160 W	Enhancement	PowerMESH	Tube
	MOSFETs N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH STH3N150-2 STMicroelectronics 1: 27,06 zł 27 354Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części STH3N150-2 Nr części Mouser 511-STH3N150-2	STMicroelectronics	MOSFETs N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Karta charakterystyki	27 354Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: STH3N150-2 Stany magazynowe: 0 Dostępna ilość z otwartych zamówień: 354 Oczekiwane: 26.10.2026 9 000 Oczekiwane: 27.11.2026 18 000 Oczekiwane: 26.02.2027 Średni czas produkcji: 26 tygodni	Odcinek taśmy 27,06 zł 18,13 zł 13,86 zł 12,41 zł Opakowanie zbiorcze 10,30 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000			Si	SMD/SMT	H2PAK-2	N-Channel	1 Channel	1.5 kV	2.5 A	9 Ohms	20 V	3 V	29.3 nC	- 55 C	+ 150 C	140 W	Enhancement	PowerMESH	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH STFW4N150 STMicroelectronics 1: 27,32 zł 900Oczekiwane: 25.06.2027	Produc. Nr części STFW4N150 Nr części Mouser 511-STFW4N150	STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Karta charakterystyki	900Oczekiwane: 25.06.2027	27,32 zł 14,26 zł 13,11 zł 11,97 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole	TO-3PF-3	N-Channel	1 Channel	1.5 kV	4 A	7 Ohms	30 V	3 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	PowerMESH	Tube