π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low RDS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs TO252 900V 2A N-CH MOSFET 4 015Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
6,82 zł
3,56 zł
2,76 zł
2,17 zł
Opakowanie zbiorcze
2,02 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 2 A 5.9 Ohms 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ 3 095Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
5,81 zł
2,72 zł
2,42 zł
1,90 zł
Opakowanie zbiorcze
1,82 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 4.9 Ohms 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN 2 096Na stanie magazynowym
14,83 zł
8,45 zł
6,69 zł
6,12 zł
4,49 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-3P N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1.3 Ohms 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS 153Na stanie magazynowym
10,74 zł
5,28 zł
4,93 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN 4Na stanie magazynowym
125Oczekiwane: 16.11.2026
14,52 zł
7,44 zł
6,60 zł
5,41 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ 250Na stanie magazynowym
6,07 zł
2,88 zł
2,87 zł
2,25 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 2.5 A 4.6 Ohms 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ 265Na stanie magazynowym
6,20 zł
2,93 zł
2,92 zł
2,25 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 3.5 Ohms 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFETs PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS 158Na stanie magazynowym
8,93 zł
4,35 zł
4,31 zł
3,78 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.35 Ohms 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFETs PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS 170Na stanie magazynowym
8,32 zł
4,05 zł
4,01 zł
3,46 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFETs PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN 96Na stanie magazynowym
12,63 zł
6,34 zł
5,59 zł
4,58 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS 1Na stanie magazynowym
550Dostępna ilość z otwartych zamówień
12,14 zł
5,94 zł
5,28 zł
4,49 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1 Ohms 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube