Tranzystory GaN FET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 9

Zastosowane filtry:

Opakowanie/obudowa

Polaryzacja tranzystora

Liczba kanałów

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Tryb kanału

Technologia

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Technologia
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor SGT070R70HTO STMicroelectronics 1: 37,71 zł 335Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części SGT070R70HTO Nr części Mouser 511-SGT070R70HTO Nowe produkty	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor Dowiedz się więcej o STMicroelectronics sgt070r70hto transistor	Karta charakterystyki	335Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 37,71 zł 20,77 zł 19,40 zł 16,46 zł Opakowanie zbiorcze 16,46 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 800	SMD/SMT	TO-LL-11			700 V	26 A	70 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	231 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor SGT080R70ILB STMicroelectronics 1: 24,60 zł 880Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części SGT080R70ILB Nr części Mouser 511-SGT080R70ILB Nowe produkty	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor Dowiedz się więcej o STMicroelectronics sgt080r70ilb transistor	Karta charakterystyki	880Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 24,60 zł 13,02 zł 11,88 zł 11,00 zł Opakowanie zbiorcze 9,33 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	29 A	80 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	6.2 nC	- 55 C	+ 150 C	188 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor SGT105R70ILB STMicroelectronics 1: 20,50 zł 949Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części SGT105R70ILB Nr części Mouser 511-SGT105R70ILB Nowe produkty	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor Dowiedz się więcej o STMicroelectronics sgt powergan transistors	Karta charakterystyki	949Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 20,50 zł 10,69 zł 9,72 zł 8,62 zł Opakowanie zbiorcze 7,30 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	21.7 A	105 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	4.8 nC	- 55 C	+ 150 C	158 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor SGT140R70ILB STMicroelectronics 1: 16,37 zł 900Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części SGT140R70ILB Nr części Mouser 511-SGT140R70ILB Nowe produkty	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor Dowiedz się więcej o STMicroelectronics sgt powergan transistors	Karta charakterystyki	900Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 16,37 zł 8,36 zł 7,61 zł 6,38 zł Opakowanie zbiorcze 5,41 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	17 A	140 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	113 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor SGT190R70ILB STMicroelectronics 1: 15,27 zł 985Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części SGT190R70ILB Nr części Mouser 511-SGT190R70ILB Nowe produkty	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor Dowiedz się więcej o STMicroelectronics sgt powergan transistors	Karta charakterystyki	985Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 15,27 zł 7,74 zł 7,04 zł 5,81 zł Opakowanie zbiorcze 4,93 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	11.5 A	190 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.8 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor SGT240R70ILB STMicroelectronics 1: 13,33 zł 970Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części SGT240R70ILB Nr części Mouser 511-SGT240R70ILB Nowe produkty	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor Dowiedz się więcej o STMicroelectronics sgt powergan transistors	Karta charakterystyki	970Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 13,33 zł 6,69 zł 6,07 zł 4,93 zł 4,84 zł Opakowanie zbiorcze 4,08 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	10 A	240 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2 nC	- 55 C	+ 150 C	76 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor SGT350R70GTK STMicroelectronics 1: 9,06 zł 521Na stanie magazynowym 2 500Oczekiwane: 12.11.2026 Nowe produkty	Produc. Nr części SGT350R70GTK Nr części Mouser 511-SGT350R70GTK Nowe produkty	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor Dowiedz się więcej o STMicroelectronics sgt350r70gtk transistor	Karta charakterystyki	521Na stanie magazynowym 2 500Oczekiwane: 12.11.2026	Odcinek taśmy 9,06 zł 4,44 zł 3,97 zł 3,15 zł Opakowanie zbiorcze 2,61 zł Przeglądaj 3,06 zł 2,41 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 500	SMD/SMT	DPAK-3			700 V	6 A	350 mOhms	- 1.4 V, + 7 V	2.5 V	1.5 nC	- 55 C	+ 150 C	47 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor SGT240R70ITK STMicroelectronics 1: 10,87 zł 2 500Oczekiwane: 04.12.2026 Nowe produkty	Produc. Nr części SGT240R70ITK Nr części Mouser 511-SGT240R70ITK Nowe produkty	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor Dowiedz się więcej o STMicroelectronics sgt powergan transistors	Karta charakterystyki	2 500Oczekiwane: 04.12.2026	Odcinek taśmy 10,87 zł 5,37 zł 4,84 zł 3,90 zł Opakowanie zbiorcze 3,25 zł Przeglądaj 3,75 zł 3,10 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 500	SMD/SMT	DPAK-2	N-Channel	1 Channel	700 V	10 A	240 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2 nC	- 55 C	+ 150 C	77 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor SGT65R65AL STMicroelectronics 3 000: 20,72 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni	Produc. Nr części SGT65R65AL Nr części Mouser 511-SGT65R65AL	STMicroelectronics	GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm sgt65r65al transistors	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni	Opakowanie zbiorcze 20,72 zł	Min.: 3 000 Wielokr.: 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-4	N-Channel	1 Channel	650 V	25 A	65 mOhms	+ 6 V	1.8 V	5.4 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W		GaN-on-Si

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

Udostępnij to

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

Zastosowane filtry: