100V to 150V StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon Technologies 100V to 150V StrongIRFET™ Power MOSFETs are optimized for low on-resistance (RDS(on)) and high current capability. These devices offer an RDS(on) as low as 1.3mΩ at 100V and a current handling capability as high as 209A at 100V. These features result in reduced conduction losses and increased power density while still accommodating legacy designs. The StrongIRFET Power MOSFETs are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications, including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.  

Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 4 788Na stanie magazynowym
400Dostępna ilość z otwartych zamówień
28,47 zł
15,27 zł
13,99 zł
12,58 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 1 931Na stanie magazynowym
33,40 zł
18,79 zł
16,06 zł
15,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 7 687Na stanie magazynowym
22,62 zł
11,88 zł
10,87 zł
9,02 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 13 686Na stanie magazynowym
37,49 zł
22,84 zł
20,81 zł
19,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 1 539Na stanie magazynowym
16,50 zł
10,82 zł
8,05 zł
6,73 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 1 403Na stanie magazynowym
1 200Oczekiwane: 11.02.2027
42,37 zł
23,67 zł
21,82 zł
21,43 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 2 260Na stanie magazynowym
3 600Dostępna ilość z otwartych zamówień
31,94 zł
22,48 zł
18,22 zł
16,10 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(120V 300V) 674Na stanie magazynowym
73,88 zł
51,17 zł
42,64 zł
39,03 zł
35,99 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 2 644Na stanie magazynowym
2 400Oczekiwane: 19.08.2027
32,08 zł
17,51 zł
16,10 zł
14,30 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC
33 408Dostępna ilość z otwartych zamówień
15,22 zł
8,40 zł
7,17 zł
6,20 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(120V 300V) Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
29,35 zł
28,42 zł
Min.: 400
Wielokr.: 400
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube