Układy MOSFET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Tranzystory mocy MOSFET RQ3xFRATCB

Motoryzacyjne tranzystory mocy MOSFET RQ3xFRATCB firmy ROHM Semiconductor posiadają certyfikat AEC-Q101. Charakteryzują się zakresem napięcia dren-źródło od -40 V do 100 V, 8 zaciskami, rozpraszaniem mocy do 69 W i ciągłym prądem drenu od ±12 A do ±27 A. Tranzystory mocy RQ3xFRATCB są dostępne w wersji z kanałem typu N i kanałem typu P. Tranzystory te zamknięte są w małych obudowach HSMT8AG o wymiarach 3,3 x 3,3 mm. Tranzystory mocy RQ3xFRATCB nadają się idealnie do zaawansowanych systemów wspomagania kierowcy (ADAS), systemów multimedialnych, oświetlenia oraz nadwozia.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 3

Zastosowane filtry:

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Opakowanie

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Technologia	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Opakowanie
MOSFETs Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive RQ3G270BJFRATCB ROHM Semiconductor 1: 7,92 zł 3 674Na stanie magazynowym	Produc. Nr części RQ3G270BJFRATCB Nr części Mouser 755-RQ3G270BJFRATCB	ROHM Semiconductor	MOSFETs Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor rohm rq3xfratcb power mosfets	Karta charakterystyki	3 674Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 7,92 zł 3,82 zł 3,40 zł 2,70 zł Opakowanie zbiorcze 2,31 zł Przeglądaj 2,57 zł 2,23 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	P-Channel	1 Channel	40 V	27 A	22 mOhms	- 20 V, 5 V	2.5 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive RQ3G120BJFRATCB ROHM Semiconductor 1: 6,60 zł 2 478Oczekiwane: 01.12.2026	Produc. Nr części RQ3G120BJFRATCB Nr części Mouser 755-RQ3G120BJFRATCB	ROHM Semiconductor	MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor rohm rq3xfratcb power mosfets	Karta charakterystyki	2 478Oczekiwane: 01.12.2026	Odcinek taśmy 6,60 zł 3,20 zł 2,77 zł 2,17 zł 2,07 zł Opakowanie zbiorcze 1,69 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	P-Channel	1 Channel	40 V	12 A	48 mOhms	- 20 V, 5 V	2.5 V	15.5 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFETs Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive RQ3L120BJFRATCB ROHM Semiconductor 1: 6,42 zł 3 000Oczekiwane: 16.02.2027	Produc. Nr części RQ3L120BJFRATCB Nr części Mouser 755-RQ3L120BJFRATCB	ROHM Semiconductor	MOSFETs Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor rohm rq3xfratcb power mosfets	Karta charakterystyki	3 000Oczekiwane: 16.02.2027	Odcinek taśmy 6,42 zł 3,04 zł 2,71 zł 2,13 zł Opakowanie zbiorcze 1,71 zł Przeglądaj 2,03 zł 1,69 zł 1,67 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	P-Channel	1 Channel	60 V	12 A	106 mOhms	- 20 V, 5 V	2.5 V	15.7 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	Reel, Cut Tape

Tranzystory mocy MOSFET RQ3xFRATCB

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie