MRFX Series 65V LDMOS Transistors

NXP Semiconductors MRFX Series 65V LDMOS Transistors offer high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These transistors feature high power density, lower current losses, high efficiency, easier matching to 50Ω, wide safety margin, and negligible magnetic radiation. The higher power density, low current, and high safety margin enable highly reliable and more integrated industry 4.0 systems with better energy management.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora Technologia Id – Ciągły prąd drenu Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Częstotliwość robocza Wzmocnienie Moc wyjściowa Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V 5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz 21Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape